利用同步硬X射线光刻技术制备斜亚微米尺度结构
倾斜亚微米尺度的结构被用于各个方面的研究，如干胶的定向特性和润湿性。虽然沉积、刻蚀和光刻技术被应用于斜亚微米尺度结构的制备，但这些方法都存在结构可控性或吞吐量的问题。在这里，我们提出了一种简单的X射线光刻方法，可以控制亚微米尺度结构的倾斜角度，面积在厘米尺度上。采用倾斜结构上金膜沉积的方法制作了X射线掩模。利用该掩模，通过倾斜X射线曝光，制备了倾斜20°和10°，宽度分别为510nm和345nm的斜ZEP520A光刻胶结构，并证实了聚二甲基硅氧烷( PDMS )成型的可能性。此外，通过亚微米和微米级X射线掩模的双重曝光，产生了点线图案，作为多尺度图案的例子。