利用同步硬X射线光刻技术制备斜亚微米尺度结构。

由 ty10086 提交于 周三, 08/25/2021 - 15:52
文章英文标题
Fabrication of Oblique Submicron-Scale Structures Using Synchrotron Hard X-ray Lithography.
正文
倾斜亚微米尺度的结构被用于各个方面的研究，如干胶的定向特性和润湿性。虽然沉积、刻蚀和光刻技术被应用于斜亚微米尺度结构的制备，但这些方法都存在结构可控性或吞吐量的问题。在这里，我们提出了一种简单的X射线光刻方法，可以控制亚微米尺度结构的倾斜角度，面积在厘米尺度上。采用倾斜结构上金膜沉积的方法制作了X射线掩模。利用该掩模，通过倾斜X射线曝光，制备了倾斜20°和10°，宽度分别为510nm和345nm的斜ZEP520A光刻胶结构，并证实了聚二甲基硅氧烷( PDMS )成型的可能性。此外，通过亚微米和微米级X射线掩模的双重曝光，产生了点线图案，作为多尺度图案的例子。
文章内容（英文）
Oblique submicron-scale structures are used in various aspects of research, such as the directional characteristics of dry adhesives and wettability. Although deposition, etching, and lithography techniques are applied to fabricate oblique submicron-scale structures, these approaches have the problem of the controllability or throughput of the structures. Here, we propose a simple X-ray-lithography method, which can control the oblique angle of submicron-scale structures with areas on the centimeter scale. An X-ray mask was fabricated by gold film deposition on slanted structures. Using this mask, oblique ZEP520A photoresist structures with slopes of 20° and 10° and widths of 510 nm and 345 nm were fabricated by oblique X-ray exposure, and the possibility of polydimethylsiloxane (PDMS) molding was also confirmed. In addition, through double exposure with submicron- and micron-scale X-ray masks, dotted-line patterns were produced as an example of multiscale patterning.
来源出处
Journal|[J]PolymersVolume 13, Issue 7. 2021.
DOI
https://doi.org/10.3390/POLYM13071045

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