采用Tip - based Lithography无Fab - free工艺批量制备三维硅纳米/微结构
采用扫描探针光刻( SPL )和金属辅助化学刻蚀( MACE )相结合的方法大规模制备 100 nm分辨率的三维硅( Si )微结构。通过聚合物浸笔纳米光刻( DPN )和纳米剃刀烷乙醇自组装单分子膜( SAMs )在Si衬底上制备图形化金膜(负色调)的MACE，获得了包括长度超过10 µ m的Si纳米线和非典型形状的Si纳米微柱等Si微结构；通过烷乙醇自组装单分子膜( SAMs )在Si衬底上制备图形化金膜(正色调)的MACE，获得了任意图形化、沟道宽度小于160 nm、深度为数百纳米的隐窝Si微结构。作为使用挤压Si结构的应用实例，通过1D和2D SPL结合MACE演示了高达一厘米区域的纳米压印。同样，亚微米聚二甲基硅氧烷( PDMS )印章也被用于毫米级区域，用于使用凹槽硅结构。特别地，利用光学微谐振器、表面增强拉曼散射模板和用于荧光信号编码的智能微颗粒，实现了亚微米分辨率任意形状硅微颗粒的大规模制备。