聚二甲基硅氧烷的化学蚀刻处理，用于平滑微通道表面
本文研究了聚二甲基硅氧烷( PDMS )微通道表面改性工艺，以改善微通道内部光片照明的暗场成像中的图像质量。微通道中的暗场光散射技术是用于纳米颗粒可视化的强大技术。采用N-甲基-2 -吡咯烷酮( NMP )溶剂中四丁基氟化铵( TBAF )湿法刻蚀工艺对PDMS微通道进行表面改性，将TBAF 0.68 M的PDMS在NMP溶液中刻蚀10 min的距离评价为18.8±1.8 µ m。利用光片照明对聚苯乙烯纳米颗粒( ϕ = 100 nm )进行暗场光散射成像，并利用TBAF处理的微通道证实了散射光从微通道壁面的衰减。这种表面修饰技术提高了光片照明下的成像质量。