Ga)Se2

摘要\n本研究采用化学溶液法在Cu ( In，Ga ) Se2 ( CIGS )太阳电池表面制备了一种嵌入ZnO–NRs的柔性聚二甲基硅氧烷( PDMS ) ARL。在AM1.5G太阳光谱条件下，在CIGS太阳电池表面应用嵌入ZnO- NRs的PDMS ARL，可有效地将太阳电池的转换效率从7.23 %提高到7.79 %。此外，随着太阳的移动，宽频带和全向光捕获是非常重要的，因此，研究了各种ARLs在CIGS光伏电池上的全向反射应用。

半透明和双面光伏( PV )技术由于其在能量收集窗口应用方面的潜力，最近受到了相当大的关注。具有透明导电前后电极的超薄Cu ( In，Ga ) Se2 ( CIGS )太阳能电池，能够实现部分可见光传输，被认为是很有前途的候选材料。然而，要实现更好的性能，还有许多挑战有待解决，包括制造工艺、材料选择和器件结构设计。这里报道了在两种透明导电氧化物( TCO )后接触器上制备的半透明超薄CIGS太阳电池的材料性能和性能特点，即织构化SnO2∶F和平整的In2O3∶Sn薄膜，采用单级共蒸发方法。通过对不同TCO后接触器件的性能比较，发现单级工艺是制备高性能半透明CIGS器件的一种非常有效的方法，光管理在超薄CIGS吸收体器件中发挥着重要作用。一种具有光散射和增透性能的织构化聚二甲基硅氧烷( PDMS )层增强了器件的光吸收性能。在平坦的In2O3：Sn背面接触织构化的PDMS层上制备的器件(吸收体厚度：322   nm )的光电转换效率为10.5 %，平均可见光透过率为12.3 %。